Разделы сайта

Анализ результатов расчетов

Для выбора оптимальной конструкции просветляющего покрытия построим графики спектральных зависимостей R= f(л) для всех типов покрытий в единой системе координат.

Оптимальной будет та конструкция, которая обеспечивает минимальный коэффициент отражения на рабочей длине волны л0=600 нм и более широкую зону просветления в заданной области спектра.

Таким образом, оптимальным является 4-х слойное оптическое покрытие.

Построим графики спектральных зависимостей R= f(л) для 4-хслойного покрытия (теоретический и смоделированный):

Обозначим выбранную конструкцию просветляющего покрытия:

ВД - Просветл. 97ИЭ 112 ИЭ 97 ИЭ 110 ИЭ150

л0 = 600 нм ±20 нм;

сmin = 0,006;

л1 - л2 = 400 - 800 нм.

Материал подложки: ЛК-1 ГОСТ 3514-94;

nс=1.441

Для данной конструкции просветляющего покрытия составим технологический процесс.

Технологический процесс

Технологический процесс включает следующие основные операции:

Очистка подложек.

Подготовка вакуумной камеры.

Ионная очистка подложек.

Нагрев подложек до фиксированной температуры.

050 Нанесение оптических покрытий:

Нанесение оптического покрытия YF3.

Нанесение оптического покрытия LaF3.

Нанесение оптического покрытия YF3

Нанесение оптического покрытия CaF2.

Разгерметизация вакуумной камеры, выгрузка готовых изделий.

Контроль оптических параметров покрытия.

Содержание операций:

010

- Очистка подложек: подложки из стекла ЛК-1 ГОСТ 3514 - 94 обезжиривают в смеси петролейного эфира и этилового спирта в соотношении 75% - 25% и окончательно протирают тампонами обезжиренной ваты, смоченной в абсолютном этиловом спирте. Очищенные детали протирают обезжиренными батистовыми салфетками. Готовые детали вставляют в съёмные оправы подложкодержателя и с поверхностей беличьей кисточкой удаляются ворсинки. Очищенные детали в оправах загружают в подложкодержатель, и подложкодержатель устанавливается в вакуумную камеру. При выполнении этой операции оператор должен работать в резиновых перчатках или напальчниках.

020

- Подготовка вакуумной камеры происходит параллельно с операцией 010:

S Очистка элементов подколпачной аппаратуры (экранов, испарителей, заслонов) от пленок испаряемых материалов и пропитку их спиртом.

S Загрузка исходных пленкообразующих материалов в испарители (YF3, LaF3, и CaF2 в 4х позиционный тигель электронно-лучевого испарителя).

S Загрузка подложкодержателя с очищенными оптическими деталями.

S Проверка работоспособности механизмов и устройств в вакуумной камере: вращение подложкодержателя, перемещение заслонок, работа фотометра.

S Откачка камеры до давления примерно 2 Па.

030

- Операция ионной очистки подложек проводится в камере (р=2…1.38 Па) в течение 5-10 минут при напряжении 500 В на электроде ионной очистки и токе разряда 150 - 200 мА. При этом включается вращение подложкодержателя с частотой n = 10-20 мин -1. В процессе ионной очистки ионами остаточных газов с поверхности удаляются пылинки и молекулы тяжелых газов. По окончании ионной очистки камера откачивается до Р = 10 -2 - 10 -3 Па.

Перейти на страницу: 1 2 3

Интересное из раздела

Исследование и расчет цепей постоянного тока
ток генератор кирхгоф электрический 1) Измеряем Е1 и Е2 , показания заносим в таблицу 1.1. Таблица1.1- Параметры исследуемой цепи ...

Метрологические характеристики уровнемеров
Многообразие применяемых типов измерительных преобразователей, повышение требований к точности и надежности работы систем приводят к необходимости использов ...

Исследование входных цепей радиоприемников
Цель работы: Закрепление теоретических знаний и экспериментальное исследование входных цепей при емкостной, индуктивной и смешанной связи с ненастрое ...