Разделы сайта

Балансные (дифференциальные) усилители

Рассчитать ДУ на биполярных транзисторах с ГСТ, несимметричным входом и выходом. ЭДС входного сигнала Еr = 1,2 мВ, сопротивление Rr = 1,6 Ом. требуемый коэффициент усиления КUд = 15, сопротивление Rвх ³ 47 кОм.

Решение

. Для обеспечения малого дрейфа ДУ выбираем транзисторы КТ312А, имеющие малый тепловой ток и достаточно высокий коэффициент b. Допустимое напряжение Uкэ max £ 15 В. Следовательно, Ек1 = Ек2 £ 7,5 В. Амплитуда выходного напряжения Uвых = KUдEr = 15×1,2 = 18 мВ, тогда примем Ек1 = Ек2 = 7 В. Меньшие значения Ек затрудняют построение ГСТ.

. Выбираем для транзисторов Т1 и Т2 рабочую точку с Uкэ0 = 3 В, Iк0 = 1 мА, Uбэ0 = 0,45 В. Тогда номинал резистора Rк составляет

В выбранном режиме h11э = 2 кОм, b = 40, тогда

Примем R’ э = 1,2 кОм, тогда вх.д = 2[h 11э + 0,5R’ э(35 + 1)] = 47,2 кОм.

Примем Rб = Rr = 1,6 Ом, тогда:

Получили, что КU и Rвх удовлетворяют условию.

. Рассчитаем ГСТ, для чего вначале определим потенциал коллектора транзистора Т3 относительно общей шины:

к3 = -(Iб01Rr + Uбэ01 + Iк01 ) = - 1,7 В.

Следовательно, падение напряжения на транзисторе Т3 и резисторе R3 составит Ек2 - Uк3 = 7 - 1,7 = 5,3 В.

Выберем потенциал базы транзистора Т3: Uбэ = - 4,5 В, Uкб3 » 4 В. Тогда падение напряжения U на резисторе R4 и диоде Д:

= Ек2 - Uбэ = 7 - 4,5 = 2,5 ВR3 = U - Uбэ03 = 2,5 - 0,5 = 2 В.

Т.к. при Iк03 = Iк01 + Iк02 = 2 мА, Uбэ03 = 0,5 В.

Тогда сопротивление резистора R3:

3 = UR3/Iк03 =2/2 = 1 кОм.

Выберем ток делителя R4, R5, равным Iк03 = 2 мА. Тогда

5 = (Ек2 -U)/Iдел = 2,25 кОм.

Примем в качестве диода транзистор КТ312А в диодном включении, при Iэ = 2мА величина Uд = Uбэ0 = 0,5 В и поэтому

В итоге имеем:к1 и Rк2 - МЛТ - 0,25 - 3,9 кОм 5%.э1 и Rэ2 - МЛТ - 0,25 - 620 Ом 5%.3 и R4 - МЛТ - 0,25 - 1 кОм 5%5 - МЛТ - 0,25 - 2,2 кОм 5%.6 - МОН - 0,25 - 1,6 Ом 5%.

Обозначение

Наименование

Кол-во

Конденсаторы

1

С1, С2

К50 - 6 - 5 мкФ - 16В

2

2

С3, С4, С7

К50 - 6 - 100 мкФ - 16В

3

3

С5, С6, С8

К50 - 6 - 50 мкФ - 16В

3

Резисторы

4

R1, R4, R14

МЛТ - 0,25 - 3,9 кОм ± 5 %

3

5

R2, R5

МЛТ - 0,25 - 620 кОм ± 5 %

2

6

R3, R6, R9

МЛТ - 0,25 - 1 кОм ± 5 %

3

7

R7

МЛТ - 0,25 - 2,2 кОм ± 5 %

1

8

R8

МОН - 0,25 - 1,6 кОм ± 5 %

1

9

R10, R21, R23

МЛТ - 0,25 - 1 кОм ± 5 %

3

10

R11

МЛТ - 0,25 - 47 кОм ± 5 %

1

11

R12

МЛТ - 0,25 - 5,1 кОм ± 5 %

1

12

R13, R19

МЛТ - 0,25 - 2 кОм ± 5 %

2

13

R15

МЛТ - 0,25 - 1,2 кОм ± 5 %

1

14

R16

МЛТ - 0,25 - 680 кОм ± 5 %

1

15

R17

МЛТ - 0,25 - 330 кОм ± 5 %

1

16

R18

МЛТ - 0,25 - 200 кОм ± 5 %

1

17

R20

МЛТ - 0,25 - 47 кОм ± 5 %

1

18

R22, R24

МЛТ - 0,25 - 130 кОм ± 5 %

2

Диоды

19

VD1, VD2

КС 168 А

2

Транзисторы

20

VT1 - VT4

КТ 312 А

4

21

VT5

2Т 301 Б

1

22

VT6

2Т 301 Ж

1

23

VT7

КТ 815 Б

1

24

VT8

КТ 819 Б

1

25

VT9

КТ 818 Б

1

Перейти на страницу: 1 2

Интересное из раздела

Фазовращатели фазированных антенных решеток
фазовращатель фазированный антенный решетка Представим себе высоконаправленную антенну, обеспечивающую связь с искусственным спутником Земли (ИСЗ). Такая ант ...

Проектирование и программная реализация комплексной системы стрелочных переводов
Цифровая обработка сигналов (ЦОС) [1] представляет собой одну из наиболее мощных технологий, которая в XXI веке будет определять развитие наук ...

Цифровой КИХ-фильтр для частотной селекции измерительных сигналов
Цифровой фильтр (ЦФ) - устройство, пропускающее, либо подавляющее заданные в цифровой форме сигналы в определенной полосе частот. В отличие от аналоговых фильтров, у кото ...