Ионная-релаксационная поляризация.
Обусловлена смещением слабо связанных ионов под действием внешнего электрического поля на расстояние, превышающее постоянную кристаллической решетки. Она наблюдается в неорганических кристаллических диэлектриках ионной структуры с неполной упаковкой ионов, процесс происходит с потерей энергии и усиливается с повышением Т°.
Миграционная поляризация.
Она наблюдается в некоторых диэлектриках (неоднородных) особенно с полупроводниковыми включениями. Это вид поляризации заключается в перемещении (миграции) зарядов в этих включениях до их границ и накоплении зарядов на границах раздела.
Эти процессы медленные и могут продолжаться секунды и даже часы, и поэтому поляризация возможна на низких частотах.
Самопроизвольная (спонтанная) поляризация.
Такая поляризация свойственна сегнетоэлектрикам.
Классификация диэлектриков по виду поляризации:
Неполярные - не содержащие электрических диполей, способных к неориентации во внешнем электрическом поле. Им свойственна электрическая поляризация. К ним относятся: полистирол, полиэтилен, фторопласт-4, бензол, воздух и т.п.
Полярные - содержат электрические диполи, которые способны к переориентации. Наблюдается как электронная, так и дипольно-релаксационная поляризации. Они обладают пониженными электрическими свойствами и применяются в качестве электроизоляционных материалов в области низких частот. К ним относятся: органическое стекло, фторопласт -3, лавсан и др.
Диэлектрики с ионной структурой.
К ним относятся твердые неорганические диэлектрики с выше перечисленными поляризациями и делятся по потерям на 2 группы:
1) кварц, слюда, корунд, рутил и др., с электронной и ионной видами поляризаций;
2) стекло, керамика, микалекс и др., с электронной, ионной и релаксационной поляризацией;
) сегнетоэлектрики - диэлектрики, обладающие спонтанной поляризацией - титанит бария, стронция, сегнетовая соль.
Проектирование и программная реализация комплексной системы стрелочных переводов
Цифровая обработка сигналов (ЦОС) [1] представляет собой одну из наиболее
мощных технологий, которая в XXI веке будет определять развитие наук ...
Фазовращатели фазированных антенных решеток
фазовращатель фазированный антенный решетка
Представим
себе высоконаправленную антенну, обеспечивающую связь с искусственным спутником
Земли (ИСЗ). Такая ант ...
Устройство оперативной памяти статического типа емкостью 12 Кб для микропроцессора Intel 8080
Одним
из ведущих направлений развития современной микроэлектронной элементной базы
являются большие интегральные микросхемы памяти, которые служат основой д ...