Основы электроники

Найти контактную разность потенциалов для р-n перехода при температуре Т=28оС, концентрация донорной примеси составляет Na=6∙1018атом/см3, акцепторной примеси - Nд=5∙ 1016 атом/см3, собственная концентрация носителей в полупроводнике - ni=5∙ 1014

Решение:

воспользуемся соотношением

,

где - температурный потенциал электрона; NА и NД - концентрация акцепторной и донорной примесей соответственно; ni - собственная концентрация.

При температуре 28 температурный потенциал равен:

В = 25,94 мВ.

Тогда

0,3631 В

Определить сопротивление полупроводникового диода постоянному току и его дифференциальное сопротивление при прямом напряжении Uпр. Обратный ток диода при Т=300К равен I0.

Решение:

.найдем ток диода при прямом напряжении Uпр=150 мВ по формуле:

, где В

=А= 0,7919195 мА

2.Сопротивление диода постоянному току

Ом

3.Дифференцальное сопротивление найдем, решая 1.1 относительно U и дифференцируя его:

Полагая, что при Uпр=200 В , можно записать

Ом

Задача №3

Полупроводниковый диод имеет прямой ток Iпр=0,6 А при прямом напряжении Uпр=0,4 В. и температуре Т=40 оС. Определить обратный ток I0, дифференциальное сопротивление rдиф. при напряжении U = 0,1 В и при U =0.

Решение:

Зависимость тока от обратного тока и приложенного напряжения:

Где - температурный потенциал

В

Выражаем :

А

Дифференциальное сопротивление при U = 0,2 В:

Ом

Дифференциальное сопротивление при U = 0 В:

, →

Ом

В схеме параметрического стабилизатора напряжения сопротивление нагрузки Rн = 2 кОм. Данные стабилитрона: Uст = 6,8В - напряжение стабилизации, Iст.макс=0,5мА.- максимальный ток стабилизации, Iст.мин=3мА.- минимальный ток стабилизации. Входное напряжение изменяется от Uвх.мин=12В. до Uвх.мах=24В Привести схему стабилизатора, вольтамперную характеристику стабилитрона и линию нагрузки на ней. Найти балластное сопротивление Rб. Определить будет ли обеспечена стабилизация во всем диапазоне изменения Uвх.

Решение:

Балластное сопротивление:

Среднее входное напряжение:

В

Интересное из раздела

Устройство оперативной памяти статического типа емкостью 12 Кб для микропроцессора Intel 8080
Одним из ведущих направлений развития современной микроэлектронной элементной базы являются большие интегральные микросхемы памяти, которые служат основой д ...

Организация и расчет сетей поездной и станционной радиосвязи
Бурное развитие радиотехники создало все предпосылки для широкого использования радиосредств на железнодорожном транспорте. Массовое внедрение радиосвязи н ...

Программируемый формирователь последовательности импульсов с цифровой индикацией количества импульсов
Проектируемое устройство в готовом виде представляет собой отдельный прибор, основной функцией которого является формирование последовательности импульсов заданной частот ...