Разделы сайта

Параболические зеркальные антенны

В равносигнальном направлении - крутизна разностной ДН

Зависимости максимального уровня бокового излучения q1 разностной ДН по полю и КИП антенны по разностному каналу от параметров амплитудного распределения (7) показаны на Рис. 5 и 6.

Рис. 5 Зависимости максимального уровня бокового излучения разностной ДН по полю от параметров амплитудного распределения (7) при m, равном 1(а) и 2(б)

Рис. 6 Зависимости КИП антенны по разностному каналу крутизна разностной ДН

При проектировании остронаправленных зеркальных антенн с повышенной помехозащищенностью требования к уровню бокового излучения и его распределению в пространстве являются решающими в выборе схемы и типа облучающего устройства. Дальнее боковое излучение и поле в области тени зеркальных антенн рассчитывают по методу ГТД.

Рис. 7 Схематическое изображение осесимметричной зеркальной антенны

При проектировании остронаправленных зеркальных антенн с повышенной помехозащищенностью требования к уровню бокового излучения и его распределению в пространстве являются решающими в выборе схемы и типа облучающего устройства. Поле излучения осесимметричной зеркальной антенны в любой плоскости визирования, проходящей через ось симметрии зеркала z (рис. 7), можно определить в виде суммы краевых волн, возникающих при первичной и вторичной дифракциях поля облучателя (соответственно лучи и ), однократно отраженных от зеркала краевых волн первичной дифракции (например, луч ), и лучевого разложения первичного поля облучателя, уходящего за зеркало. При этом в точках дифракции и , расположенных в местах пересечения плоскости визирования с кромкой зеркала, реальный край антенны аппроксимируется касательной плоскостью 2, ребро 3 которой совпадает с элементом кромки зеркала 1. Таким образом, для осесимметричной зеркальной антенны нормированная ДН

где индексы и при Е опущены, так как (10) идентично для обеих компонент поля (верхний знак для -ой компоненты, а нижний - для -й);

- поле излучения в направлении максимума ДН антенны при распределении (5) в раскрыве;

поле облучателя в сферической системе координат излучения ;

зеркальный антенна излучение облучатель

поле краевых волн первичной и вторичной дифракций от верхней кромки зеркала ( точке Н на рис. 7 соответствуют лучи);\

поле краевой волны от нижней кромки зеркала (рис. 7, точка ) при однократном отражении от внутренней поверхности зеркала (например, луч)

уровень поля первичного облучателя на кромке зеркала.

Компоненты и в (10) вычисляют по (11),(12), заменив . В силу действия симметрии ДН антенны достаточно рассчитать по (10) в угловом секторе . При этом составляющие и необходимо учитывать при при , при , при , в угловом секторе.

Перейти на страницу: 1 2 3 4

Интересное из раздела

Микроэлектроника. Новая быстро развивающаяся технология
Электроника прошла несколько этапов развития, за время которых сменилось несколько поколений элементной базы: дискретная электроника электровакуумных прибор ...

Характеристики и условия испытаний электрокардиографа ЭК3Т-02 АКСИОН
Электрокардиограф является переносным устройством и позволяет оперативно и качественно снимать электрокардиограмму, при этом одновременно регистрируя три, ш ...

Проектирование железнодорожного узла связи на основе цифровой АТС Квант-Е
Цифровая система коммутации «Квант-Е» имеет модульное построение, распределенную коммутацию, децентрализованное программное управление и возможность централ ...