)Коэффициент усиления мощности в оконечном каскаде:
)Тепловое сопротивление радиатора охлаждения транзистора
гдеtср ≈ +(30 - 40)°С - температура окружающей транзистор среды;
Rп-к=3.8 °С/Вт - тепловое сопротивление (переход - корпус) транзистора;
Rк.т≈ (0,5 - 1) - тепловое сопротивление между теплоотводом и корпусом транзистора, °С/Вт.
По тепловому сопротивлению радиатора охлаждения Rт можно определить его объем и форму конструкции.
Расчёт предоконечного каскада
Энергетический расчет предоконечных каскадов производится по методике, изложенной выше, только в качестве выходной мощности первого предоконечного каскада выбирается входная мощность оконечного каскада, увеличенная в Кзап раз, где Кзап - коэффициент запаса, обычно Кзап = 1,5, соответственно в качестве выходной мощности второго предоконечного каскада выбирается входная мощность первого предоконечного с коэффициентом запаса Кзап. В большинстве случаев надобности во втором предоконечном каскаде не бывает, так как мощность в десятки милливатт обеспечиваетбуферныйусилитель. Используемый транзистор КТ606.
)Входная мощность каскада:
)Коэффициент использования коллекторного напряжения транзистора в граничном режиме:
где Sгр=0,03 См и для транзистора КТ606.
При этом напряжение эквивалентного генератора:
)Амплитуда тока первой гармоники коллектора:
)Проверка допустимого напряжения коллекторного перехода, который для транзистора КТ606А равен 60В:
)Нагрузка эквивалентного генератора:
)Амплитуда импульса коллекторного тока:
)Постоянный ток коллектора:
)Мощность, потребляемая от источника питания:
)Мощность, рассеиваемая на коллекторе:
)КПД генератора:
11)Угол дрейфа носителей тока через базу:
где для транзистора КТ909А.
12)Нижний угол отсечки импульсов эмиттерного тока:
Затем по таблице коэффициентов А. И. Берга находим коэффициенты разложения α1э=0,472 и α0э=0,286, а также cosq=0,174.
)Постоянный ток эмиттера:
)Амплитуда эмиттерного тока:
) Ток первой гармоники эмиттера:
) Крутизна тока коллектора на рабочей частоте:
где .
)Амплитуда переменного напряжения возбуждения базы:
)Модуль коэффициента передачи напряжения возбуждения с входных электродов (б-э) на р-n-переход (б¢-э):
)Приближенное значение входного сопротивления транзистора на рабочей частоте:
)Мощность сигнала на входе предоконечного каскада (ПОК):
)Коэффициент усиления мощности в оконечном каскаде:
)Тепловое сопротивление радиатора охлаждения транзистора
гдеtср ≈ +(30 - 40)°С - температура окружающей транзистор среды;
Конструкторско-технологическое проектирование функционального узла, расположенного на печатной плате
Основным
элементом прибора является печатная плата (ПП), которая служит для объединения
электронных компонентов и выполняет функцию несущей конструкции для ...
Использование специализированных микропроцессоров
Рассмотрим
преимущества цифровой обработки сигналов (ЦОС) на сравнении аналоговых и
цифровых фильтров. Цифровые фильтры всё чаще находят своё применение в м ...
Микроэлектроника. Новая быстро развивающаяся технология
Электроника
прошла несколько этапов развития, за время которых сменилось несколько
поколений элементной базы: дискретная электроника электровакуумных прибор ...