Количественный анализ полупроводников и полупроводниковых приборов базируется на зонной теории твердого тела.
Зонная структура. Твердое тело представляет собой множество атомов, сильно взаимодействующих друг с другом благодаря малым межатомным расстояниям. Поэтому вместо совокупности дискретных энергетических уровней, свойственных отдельному атому» твердое тело характеризуется совокупностью энергетических зон.
Верхняя разрешенная зона называется зоной проводимости, нижняя - валентной зоной. В полупроводниках и диэлектриках они разделены запрещенной зоной. Отличие диэлектриков от полупроводников состоит главным образом в значительно большей ширине запрещенной зоны. При нулевой абсолютной температуре валентная зона всегда полностью заполнена электронами, тогда как зона проводимости либо заполнена только в нижней части, либо полностью пуста. Первый случай свойствен металлам, второй - полупроводникам и диэлектрикам.
При температуре, отличной от абсолютного нуля, ситуация несколько изменяется.
Энергетические диаграммы на рисунке 1.7 построены для энергии электрона. Когда энергия электрона увеличивается, электрон занимает более высокое положение в зонной диаграмме. Если же говорить об увеличении энергии дырки, то это будет соответствовать, очевидно, продвижению дырки вглубь валентной зоны. Энергия электрона и дырки измеряется в электрон-вольтах (эВ).
Ширина запрещенной зоны равна:
, (1.1)
где и
- соответственно энергетические уровни для зоны проводимости и потолка валентной зоны.
а - металл; б - диэлектрик; в - собственный полупроводник;
I - зона проводимости; II - валентная зона; III - запрещенная зона
Рисунок 1.7 - Зонные диаграммы металла, диэлектрика и полупроводника
На рисунке 1.8 показаны основные параметры зонных диаграмм полупроводников для температуры, отличной от абсолютного нуля. Ширина запрещенной зоны зависит от температуры:
(1.2)
где - ширина зоны при Т=0;
Т - абсолютная температура;
- температурная чувствительность.
Для кремния = 3 10-4 В/С, а при комнатной температуре
= 1,11В.
Энергию, соответствующую середине зоны, называют электростатическим потенциалом.
(1.3)
а - собственного; б - электронного; в - дырочного полупроводников
Рисунок 1.8 - Значение энергий в зонной диаграмме
Моделирование элементов и систем управления
Управляемый объект состоит их четырех типовых динамических звеньев, соединенных между собой в определенной последовательности с образованием двух замкнутых контуров (рису ...
Расчет линейной электрической цепи при гармоническом воздействии
Цель
курсовой работы состоит в практическом освоении методов расчета простых и
сложных электрических цепей при воздействии на них гармонических колебани ...
Устройство оперативной памяти статического типа емкостью 12 Кб для микропроцессора Intel 8080
Одним
из ведущих направлений развития современной микроэлектронной элементной базы
являются большие интегральные микросхемы памяти, которые служат основой д ...