Разделы сайта

Глубокие уровни

Донорные и акцепторные уровни, называют мелкими, имея в виду их незначительное отличие от соответствующих разрешенных энергетических уровней, зон («расстояния»).

Глубокие уровни

- ряд примесей, имеющих в ПП (или специально вводимых в него), расположены вблизи середины запретной зоны.

В кремнии глубокие уровни характерны для золота, меди, никеля и др. Такие примеси обычно не являются ни донорами, ни акцепторными, но они выполняют важную роль в работе ПП.

Рисунок 1.11 -Захват и отдача электронов в ПП с глубокими уровнями.

Энергия активации в этом случае достаточно большая, поэтому атомы таких примесей практически не ионизируются, соответственно не изменяют концентрации свободных носителей, тем не менее, роль глубоких уровней существенна, так как представляют собой «ловушки» или центры захвата подвижных носителей.

Электрон, попавший из разрешенной зоны на ловушку (непрерывные стрелки), остаются на ней в течение некоторого времени - времени релаксации. После этого (штриховые линии) он может вернуться в эту зону (вариант 1 и 3), либо перейти в другую (вариант 2 и 4).

В первом случае происходит небольшое временное изменение количества свободных носителей - электронов (вариант 1) или дырок (вариант 3).

Во втором случае происходит либо двухступенчатая рекомбинация (вариант 2), либо двухступенчатая генерация (вариант 4).

Вероятность двухступенчатых процессов больше, чем одноступенчатых. Поэтому в присутствии ловушек процессы генерации - рекомбинации идут, значительно интенсивнее и время жизни носителей оказывается значительно меньше.

Захват электронов глубокими уровнями характеризуются для поверхности полупроводника. Поверхностные уровни. На поверхности ПП создается тонкий приповерхностный слой толщиной несколько межатомных расстояний, в этом слое происходят структурные нарушения решетки и адсорбированные атомы создают дополнительные энергетические уровни (иногда и целые зоны). Эти уровни называют поверхностными уровнями. Они могут занимать разные места в запрещенной зоне ПП, аналогично донорным, акцепторным и ловушечным уровнем. В зависимости от времени реакции поверхностные - состояния делят на быстрые и медленные. Быстрые порядка 10-8с, медленные ≈ 10-3с, вплоть до нескольких секунд.

Рисунок 1.12 - Зонная диаграмма и поверхностные уровни

Наличие поверхностных уровней приводит к различию электрофизических параметров поверхностного слоя и объема. Различия зависят от плотности поверхности состояний, это учитывают при изготовлении интегральных схем. Степень различия зависит от плотности поверхности состояний NSS. Характеризуется количеством дополнительных уровней в приповерхностном слое на единицу площади.

Интересное из раздела

Исследование и расчет двухполюсников и четырехполюсников
В соответствии с заданием сопротивления ДП, входящих в исследуемый ЧП, имеют следующий вид, Ом: Z1(p) = , (1.1) Z2(p) = , ...

Устройство оперативной памяти статического типа емкостью 12 Кб для микропроцессора Intel 8080
Одним из ведущих направлений развития современной микроэлектронной элементной базы являются большие интегральные микросхемы памяти, которые служат основой д ...

20-разрядный аналого-цифровой преобразователь, изготовленный по технологии КМОП 0,9 пм
Традиционные конструкции аналого-цифровых преобразователей (АЦП) использовали параллельную архитектуру и биполярные технологии для получения 8-битного разрешени ...