Понятие об электронно-дырочном переходе, типы переходов, токи в p-n-переходе

2) от концентрации примесей в областях, с увеличением примеси Uk p - n возрастает;

) от температуры ПП, с увеличением температуры Uk p - n уменьшается.

Значение толщины запирающего слоя определяют:

,

где e - относительная диэлектрическая проницаемость ПП;

Если переход резко несимметричен Na>>Nд, то

d p - n= Ö(2ee0 / eNa) * jk

Для симметричного p - n - перехода с линейным распределением примеси Nэф

d=Ö12ee0 φк / e * dNэф / dx

Интересное из раздела

Проектирование автоматического измерителя артериального давления
Важным компонентом клинического мониторинга, определяющим состояние сердечнососудистой системы и организма в целом, является контроль кровяного давления. Дв ...

Проектирование железнодорожного узла связи на основе цифровой АТС Квант-Е
Цифровая система коммутации «Квант-Е» имеет модульное построение, распределенную коммутацию, децентрализованное программное управление и возможность централ ...

Электроника
Электроника. Методические указания для лабораторных работ. Составители: Е.М.Фискин, М.М.Фискина. -Иркутск: Изд-во ИрГТУ, 2012.-25 с. Содержатся мате ...