Вольтамперные характеристики и p-n модель

Модель

p

-

n

, ВАХ

Рисунок 5.14 - Эквивалентная схема ПП диода

где R0 - суммарное сопротивление n и p - областей и контактов (небольшое).

Rнл - нелинейное сопротивление, значение которого зависит от полярности приложенного напряжения. При прямом Rнл = Rпр и мало, а при обратном Rнл = Rобр и велико.

Св - емкость между выводами областей.

Сдиф - диффузионная емкость.

Сб - барьерная емкость.

L - индуктивность, создаваемая выводами от перехода.

p-n - переход при Uобр подобен конденсатору с емкостью Сбарьерная.

Сб = Qобр/Uобр

Для переменного U

Сб = ∆Qобр/∆Uобр.

В зависимости от площади перехода значение Сб может быть от единиц до сотен пикофарад и подобно нелинейной емкости, т.к. изменяется с изменением Uобр.

Сб вредно влияет на выпрямление переменного тока, так как она шунтирует p-n - переход и через Сб с повышением частоты протекает ток.

Сдиф проявляется при прямом включении, она также нелинейная и возрастает при увеличении Uпр

Сдиф = Qдиф/Uпр

Сдиф значительно больше барьерной и влияет на коэффициент передачи на нижних частотах.

Интересное из раздела

Построение телефонной сети малого предприятия на программной АТС Asterisc
В настоящее время телекоммуникационные технологии находятся на столь высоком уровне развития, что внедряются абсолютно в любые устройства, начи ...

Использование специализированных микропроцессоров
Рассмотрим преимущества цифровой обработки сигналов (ЦОС) на сравнении аналоговых и цифровых фильтров. Цифровые фильтры всё чаще находят своё применение в м ...

Расчет спектральных и энергетических характеристик сигнала
В последнее десятилетие XX века произошла научно-техническая революция в области транспортной связи, в основе которой лежат два крупных достижения фунд ...