Модель
p
-
n
, ВАХ
Рисунок 5.14 - Эквивалентная схема ПП диода
где R0 - суммарное сопротивление n и p - областей и контактов (небольшое).
Rнл - нелинейное сопротивление, значение которого зависит от полярности приложенного напряжения. При прямом Rнл = Rпр и мало, а при обратном Rнл = Rобр и велико.
Св - емкость между выводами областей.
Сдиф - диффузионная емкость.
Сб - барьерная емкость.
L - индуктивность, создаваемая выводами от перехода.
p-n - переход при Uобр подобен конденсатору с емкостью Сбарьерная.
Сб = Qобр/Uобр
Для переменного U
Сб = ∆Qобр/∆Uобр.
В зависимости от площади перехода значение Сб может быть от единиц до сотен пикофарад и подобно нелинейной емкости, т.к. изменяется с изменением Uобр.
Сб вредно влияет на выпрямление переменного тока, так как она шунтирует p-n - переход и через Сб с повышением частоты протекает ток.
Сдиф проявляется при прямом включении, она также нелинейная и возрастает при увеличении Uпр
Сдиф = Qдиф/Uпр
Сдиф значительно больше барьерной и влияет на коэффициент передачи на нижних частотах.
Контроль параметров ошибок в трактах цифровых систем передачи
Основной
тенденцией развития телекоммуникаций во всем мире является цифровизация сетей
связи, предусматривающая построение сети на базе цифровых методов ...
Источник питания охранного устройства
В настоящее время существует множество систем, предназначенных для
осуществления охраны и безопасности объектов. С развитием науки и техники
у ...
Проектирование волоконно-оптических линий связи
Волоконно-оптические линии связи (ВОЛС) в настоящее
время занимают заметное место в системах передачи информации как
общегражданского, так и специализирован ...