Модель
p
-
n
, ВАХ
Рисунок 5.14 - Эквивалентная схема ПП диода
где R0 - суммарное сопротивление n и p - областей и контактов (небольшое).
Rнл - нелинейное сопротивление, значение которого зависит от полярности приложенного напряжения. При прямом Rнл = Rпр и мало, а при обратном Rнл = Rобр и велико.
Св - емкость между выводами областей.
Сдиф - диффузионная емкость.
Сб - барьерная емкость.
L - индуктивность, создаваемая выводами от перехода.
p-n - переход при Uобр подобен конденсатору с емкостью Сбарьерная.
Сб = Qобр/Uобр
Для переменного U
Сб = ∆Qобр/∆Uобр.
В зависимости от площади перехода значение Сб может быть от единиц до сотен пикофарад и подобно нелинейной емкости, т.к. изменяется с изменением Uобр.
Сб вредно влияет на выпрямление переменного тока, так как она шунтирует p-n - переход и через Сб с повышением частоты протекает ток.
Сдиф проявляется при прямом включении, она также нелинейная и возрастает при увеличении Uпр
Сдиф = Qдиф/Uпр
Сдиф значительно больше барьерной и влияет на коэффициент передачи на нижних частотах.
История появления полупроводниковых интегральных схем
сентября 1958 года сотрудник фирмы Texas Instruments (TI) Джек Килби
продемонстрировал руководству три странных прибора - склеенные пчелиным воском
на стеклянно ...
Электроника
Электроника. Методические указания для лабораторных работ. Составители:
Е.М.Фискин, М.М.Фискина. -Иркутск: Изд-во ИрГТУ, 2012.-25 с.
Содержатся мате ...
Шлюз ZigBee и GPRS
Беспроводные сенсорные сети получили большое развитие в
последнее время. Такие сети, состоящие из множества миниатюрных узлов,
оснащенных маломощным приемо- ...