Исследование биполярного транзистора

= при - const;

= при Iб- const.

= при - const; = при Iб- const

Для определения через рабочую точку проводят касательную к входной характеристике и строят треугольник. Отношение катетов треугольника равно .

Для определения выбирают две входные характеристики, снятые при разных напряжениях Uкэ. Через рабочую точку проводят горизонтальную линию, которая пересекает две входных характеристики, что соответствует Iб-const. Отрезок АВ пропорционален приращению напряжения ΔU*бэ, а приращение напряжения на коллекторе равно разности напряжений, при которых сняты характеристики ΔUкэ.

Для определения в области рабочей точки проводят вертикальную линию, которая пересекает две соседние выходные характеристики. Отрезок АВ пропорционален приращению тока ΔIк, а приращение тока базы равно разности токов, при которых сняты выходные характеристики ΔIб.

Для определения на выходной характеристике с током базы, близким к току базы в рабочей точке, находят приращение тока коллектора ΔI*к, вызванное приращением напряжения на коллекторе ΔUкэ при постоянном токе базы.

Положение рабочей точки транзистора при его включении в схеме с общим эмиттером определяется пересечением одной из выходных характеристик и нагрузочной прямой. Нагрузочная прямая описывается уравнением Uк=Ек - IкRк, где Ек -ЭДС источника напряжения в цепи коллектора; Rк - сопротивление коллекторной нагрузки. Нагрузочная прямая строится по двум точкам:

Uк= Ек при Iк =0;

Iк = Ек / Rк при Uк =0.

Требования безопасности труда

Не включать лабораторный стенд без проверки преподавателем схемы соединений. При переключении измерительных приборов в ходе работы выключить тумблер «СЕТЬ».

Порядок выполнения работы

. Подключить источники питания ГТ и ГН2, измерительные приборы во входной и выходной цепях схемы, соблюдая полярность ( рис. 12).

Во входной цепи использовать прибор блока ИВ для измерения тока базы Iб (РА1), переключатель которого установить в положении ГТ 1 мА, прибор АВМ1 на пределе 1В для измерения напряжения база - эмиттер (PV1).

. Установить на стенд транзистор.

. Исследовать зависимость тока базы Iб от напряжения база-эмиттер Uбэ при Uкэ: 0, -5 и -7,5 В. Изменять ток базы регулятором ГТ от 0 до 500 мкА. Данные занести в таблицу, разработанную самостоятельно.

. Исследовать зависимость тока коллектора Iк от напряжения коллектор-эмиттер Uкэ для трех значений тока базы Iб : 100, 200 и 300 мкА. Для этого сделать следующее:

· отключить РА1 и вставить в гнездо перемычку;

· для измерения тока коллектора использовать прибор АВМ1 (50 мкА);

· снять зависимость Iк =F(Uкэ).

Изменять Uкэ от 0 до 15 В через 2 В до значения Iк =30 мА. Данные занести в самостоятельно составленную таблицу.

. Исследовать передаточную характеристику транзистора. Ток базы измерить с помощью генератора тока ГТ в пределах от 0 до 500 мкА при Uк = 5В и 10В. Данные занести в таблицу.

Обработка результатов измерений

Построить семейства входных и выходных характеристик с указанными на них областями насыщения, отсечки и активного режима.

Интересное из раздела

Расчет спектра и энергетических характеристик сигнала
В последнее десятилетие ХХ века произошла научно-техническая революция в области транспортной связи, в основе которой лежат два крупных достижения науки сер ...

Программируемый генератор сигналов
Современное состояние и перспективы развития многих отраслей техники, в том числе и радиоэлектроники, во многом определяются широким проникновением средств ...

Линейная антенная решетка
Антенны СВЧ широко применяют в различных областях радиоэлектроники - связи, телевидении, радиолокации, радиоуправлении, а также в системах инструмент ...