Расчет схемы управления бланкирующими пластинами ЭЛТ

.(5.8)

Допустимое напряжение база-эмиттер транзистора не более 5 В. Пусть значение амплитуды запирающего напряжения сигнала на базе VT1 Uбэ m = 2 В.

Коэффициент деления входной цепи усилителя

.(5.9)

Тогда

,(5.10)

.(5.11)

Выбираем номинал R3 = 8,2 кОм.

Емкость С1 предназначена для «развязки» по постоянной составляющей входа высоковольтного усилителя и предохраняет фазоинвертор на ОУ от пробоя по напряжению при выходе из строя ключевого транзистора.

Значение емкости можно рассчитать по допустимому сколу импульса D£0,01,

,(5.12)

где tи max - максимальная длительность развертки,

- постоянная времени цепи связи.

Находим значение емкости

(5.13)

Выбираем С1 = 2,2 мкФ на рабочее напряжение 60 В.

Поскольку транзистор VT1 в исходном состоянии находится в усилительном режиме, задержка выключения будет отсутствовать. Фронт сигнала на выходе каскада

, (5.14)

где t - постоянная времени транзистора.

Далее будет произведен расчет постоянной времени транзистора КТ605А.

Ток эмиттера равен:

.(5.15)

Рассчитаем сопротивление эмиттера транзистора:

.(5.16)

Коэффициент «2» в знаменателе дроби учитывает зависимость rЭ от рабочей точки.

Возьмем типовыми rб = 100 Ом, тогда входное сопротивление транзистора:

.(5.17)

Крутизна в рабочей точке будет равна:

.(5.18)

Постоянная времени транзистора:

.(5.19)

Нагрузкой данной схемы служат бланкирующие пластины ЭЛТ, т.е. паразитная емкость бланкирующих пластин относительно остальных электродов трубки и паразитная емкость монтажа. Оценим влияние емкости нагрузки Сн на фронты выходного сигнала схемы управления. Затягивание фронта связано с зарядом емкости через коллекторное сопротивление при запирании транзистора с постоянной времени . Задавшись Сн = 20 пФ, получим затягивание фронта сигнала

,(5.20)

что существенно меньше, чем фронт сигнала, обусловленный частотными свойствами схемы управления бланкирующими пластинами.

Интересное из раздела

Функционально-структурный анализ системы автоматического управления (регулирования) технического объекта
Работа любого технологического объекта характеризуется различными параметрами, которые изменяются в зависимости от работы машины и воздействия внешних факто ...

История появления полупроводниковых интегральных схем
сентября 1958 года сотрудник фирмы Texas Instruments (TI) Джек Килби продемонстрировал руководству три странных прибора - склеенные пчелиным воском на стеклянно ...

Проект трассы волоконно-оптической линии связи между г. Елец и г. Липецк
В настоящее время развития цифровых технологий и построения сетей NGN, где основу предоставления услуг определяют сети широкополосного доступа, объемы перед ...