Расчет схемы управления бланкирующими пластинами ЭЛТ

.(5.8)

Допустимое напряжение база-эмиттер транзистора не более 5 В. Пусть значение амплитуды запирающего напряжения сигнала на базе VT1 Uбэ m = 2 В.

Коэффициент деления входной цепи усилителя

.(5.9)

Тогда

,(5.10)

.(5.11)

Выбираем номинал R3 = 8,2 кОм.

Емкость С1 предназначена для «развязки» по постоянной составляющей входа высоковольтного усилителя и предохраняет фазоинвертор на ОУ от пробоя по напряжению при выходе из строя ключевого транзистора.

Значение емкости можно рассчитать по допустимому сколу импульса D£0,01,

,(5.12)

где tи max - максимальная длительность развертки,

- постоянная времени цепи связи.

Находим значение емкости

(5.13)

Выбираем С1 = 2,2 мкФ на рабочее напряжение 60 В.

Поскольку транзистор VT1 в исходном состоянии находится в усилительном режиме, задержка выключения будет отсутствовать. Фронт сигнала на выходе каскада

, (5.14)

где t - постоянная времени транзистора.

Далее будет произведен расчет постоянной времени транзистора КТ605А.

Ток эмиттера равен:

.(5.15)

Рассчитаем сопротивление эмиттера транзистора:

.(5.16)

Коэффициент «2» в знаменателе дроби учитывает зависимость rЭ от рабочей точки.

Возьмем типовыми rб = 100 Ом, тогда входное сопротивление транзистора:

.(5.17)

Крутизна в рабочей точке будет равна:

.(5.18)

Постоянная времени транзистора:

.(5.19)

Нагрузкой данной схемы служат бланкирующие пластины ЭЛТ, т.е. паразитная емкость бланкирующих пластин относительно остальных электродов трубки и паразитная емкость монтажа. Оценим влияние емкости нагрузки Сн на фронты выходного сигнала схемы управления. Затягивание фронта связано с зарядом емкости через коллекторное сопротивление при запирании транзистора с постоянной времени . Задавшись Сн = 20 пФ, получим затягивание фронта сигнала

,(5.20)

что существенно меньше, чем фронт сигнала, обусловленный частотными свойствами схемы управления бланкирующими пластинами.

Интересное из раздела

Проект макета на основе PIC контроллера
Сегодняшний день развития вычислительной техники характеризуется бурным развитием сетевых технологий. При этом, основной упор делается на технологии, позволяющи ...

Каналы утечки речевой информации и способы их закрытия
Для несанкционированного добывания информации в настоящее время используется широкий арсенал технических средств, из которых малогабаритные технические сред ...

Проводные линии электросвязи
Проводные линии электросвязи делятся на кабельные, воздушные и оптоволоконные. Линии электросвязи возникли одновременно с появлением электрического теле ...