J = σE, (1.15)
где σ - удельная электропроводность вещества.
Сравнивая (1.14) и (1.15), получаем:
σ = e(μnni + μppi) (1.16)
В результате можно сделать следующее заключение: удельная электропроводность полупроводника зависит от концентрации электронов и дырок и от их подвижности. Согласно (1.5) и (1.6) получим:
(1.17)
Эта формула показывает, что удельная электропроводность полупроводника зависит от типа вещества (так как в формулу входят величины n0 и ΔW), а также от температуры. Чем выше температура, тем удельная электропроводность выше, причем эта зависимость носит экспоненциальный характер.
Внедрение технологии спектрального уплотнения на участке ст. Свердловск – ст. Тюмень
В последние два десятилетия прошедшего и в начале текущего века
происходит смена эпохи индустриально-технологического развития передовых
государств эпохой и ...
Исследование аналого-цифрового и цифрового преобразователей
Аналого-цифровые преобразователи
предназначены для преобразования непрерывных (аналоговых) сигналов в дискретные
(цифровые), которые могут использоваться в ...
Анализ и синтез САУ методом корневого годографа
- Изучение системы автоматического регулирования (САР).
- Оценка качеств, характеристик САР
(устойчивости, ошибки, переходного процесса) по различн ...