J = σE, (1.15)
где σ - удельная электропроводность вещества.
Сравнивая (1.14) и (1.15), получаем:
σ = e(μnni + μppi) (1.16)
В результате можно сделать следующее заключение: удельная электропроводность полупроводника зависит от концентрации электронов и дырок и от их подвижности. Согласно (1.5) и (1.6) получим:
(1.17)
Эта формула показывает, что удельная электропроводность полупроводника зависит от типа вещества (так как в формулу входят величины n0 и ΔW), а также от температуры. Чем выше температура, тем удельная электропроводность выше, причем эта зависимость носит экспоненциальный характер.
Проектирование и программная реализация комплексной системы стрелочных переводов
Цифровая обработка сигналов (ЦОС) [1] представляет собой одну из наиболее
мощных технологий, которая в XXI веке будет определять развитие наук ...
Исследование аналого-цифрового и цифрового преобразователей
Аналого-цифровые преобразователи
предназначены для преобразования непрерывных (аналоговых) сигналов в дискретные
(цифровые), которые могут использоваться в ...
Ошибки позиционирования GPS-приемников в условиях полярных геомагнитных возмущений
Определение своего положения с помощью GPS навигатора,
отдельного прибора, или устройства, встроенного в карманный компьютер или
сотовый тел ...