J = σE, (1.15)
где σ - удельная электропроводность вещества.
Сравнивая (1.14) и (1.15), получаем:
σ = e(μnni + μppi) (1.16)
В результате можно сделать следующее заключение: удельная электропроводность полупроводника зависит от концентрации электронов и дырок и от их подвижности. Согласно (1.5) и (1.6) получим:
(1.17)
Эта формула показывает, что удельная электропроводность полупроводника зависит от типа вещества (так как в формулу входят величины n0 и ΔW), а также от температуры. Чем выше температура, тем удельная электропроводность выше, причем эта зависимость носит экспоненциальный характер.
Устройство оперативной памяти статического типа емкостью 12 Кб для микропроцессора Intel 8080
Одним
из ведущих направлений развития современной микроэлектронной элементной базы
являются большие интегральные микросхемы памяти, которые служат основой д ...
Проводные линии электросвязи
Проводные
линии электросвязи делятся на кабельные, воздушные и оптоволоконные.
Линии
электросвязи возникли одновременно с появлением электрического теле ...
Цифровая система автоматического управления
Необходимо спроектировать цифровую систему автоматического управления (ЦСАУ).
Система должна принимать сигнал из датчика, который находит в диапазоне 0…24В. Задаю ...