Разделы сайта

Надежность устройств железнодорожной автоматики, телемеханики и связи

Значения и находим в . Результаты расчета , и и заносим в таблицу в 8.1.

По ниже приведенному выражению определим коэффициенты нагрузки и интенсивности отказов транзисторов

где и - фактическая и номинальная мощности, рассеиваемые на коллекторе транзистора.

;

Значения и находим в . Результаты расчета , и и заносим в таблицу в 8.1.

Табл. 8.1

Наименование элемента	Обозначение на схеме	Количество элементов Интен-ть отказов в номинальном режимеРежим работыПоправочный коэффициент
				Коэффициент нагрузки Кн	Температура среды °С
Резистор МЛТ -0,5	R1	1	0,5	0,664	40	0,27	0,14	0,14
-"- -"-	R2	1	0,5	0,058	40	0,27	0,14	0,14
-"- -"-	R3	1	0,5	0,0077	40	0,27	0,14	0,14
-"- -"-	R4	1	0,5	0,14	40	0,27	0,14	0,14
-"- -"-	R5	1	0,5	0,057	40	0,27	0,14	0,14
-"- -"-	R6	1	0,5	0,048	40	0,27	0,14	0,14
Конденсатор	C1	1	1,4	0,125	40	0,07	0,098	0,098
-"-	C2	1	1,4	0,518	40	0,07	0,098	0,098
Транзистор КТ815А	VT1	1	1,7	0,0033	40	0,07	0,119	0,119
-"-	VT2	1	1,7	0,0007	40	0,07	0,119	0,119

Перейти на страницу: 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13

Интересное из раздела

Функционально-структурный анализ системы автоматического управления (регулирования) технического объекта
Работа любого технологического объекта характеризуется различными параметрами, которые изменяются в зависимости от работы машины и воздействия внешних факто ...

Электроника
Электроника. Методические указания для лабораторных работ. Составители: Е.М.Фискин, М.М.Фискина. -Иркутск: Изд-во ИрГТУ, 2012.-25 с. Содержатся мате ...

Устройство оперативной памяти статического типа емкостью 12 Кб для микропроцессора Intel 8080
Одним из ведущих направлений развития современной микроэлектронной элементной базы являются большие интегральные микросхемы памяти, которые служат основой д ...